7.3.1 存算一体器件（RRAM, MRAM, PCM）

文档摘要

7.3.1 存算一体器件（RRAM, MRAM, PCM）在芯片设计的漫长征途上，我们曾习惯于摩尔定律那如钟表般精准的节奏：晶体管尺寸每18个月缩小一半，性能翻倍，功耗微降。可当鳍式场效应晶体管（FinFET）逼近5nm物理极限，当EUV光刻机的镜头镀膜误差已需以原子层厚度计量，当单个逻辑门的漏电流开始与热噪声同量级博弈——我们终于不得不直面一个冷峻的事实：晶体管微缩的黄金时代正在谢幕，而计算需求的洪流却正以指数级奔涌而来。此时，“超越摩尔”（More than Moore）不再是一句战略口号，而是一条必须亲手凿开的技术栈——它拒绝在硅片上继续“堆叠更多开关”，转而追问：如果存储单元本身就能执行运算，那么“数据搬运”这个占据现代AI芯片70%以上能耗的瓶颈，是否可以从根源上蒸发？