3.2.3 电吸收调制器（EAM）：基于Ge-on-Si的实现

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3.2.3 电吸收调制器（EAM）：基于Ge-on-Si的实现在硅光集成的宏大叙事中，电吸收调制器（Electro-Absorption Modulator, EAM）从来不是主角光环下的配角——它是一枚被精密锻打的“光之闸门”，在毫微秒间吞吐信息洪流，在纳米尺度上驯服载流子与光子的共舞。当我们将目光从III-V族材料的成熟舞台转向Ge-on-Si这一更具CMOS兼容潜力的异质集成路径时，EAM便不再仅是器件物理的推演对象，而成为一场横跨材料生长、能带工程、射频建模、工艺容差控制与系统级协同优化的硬核实战。本节不谈概念定义，不列文献综述，我们直抵产线与仿真实验室的交界处：如何真正做出一个工作在1310 nm或1550 nm波段、消光比＞12 dB、半波电压＜2.