4.1.3 特色工艺：化学机械抛光（CMP）对波导平整度的影响

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4.1.3 特色工艺：化学机械抛光（CMP）对波导平整度的影响在硅基光电子集成的战场上，CMOS兼容制造流程不是一条平滑的高速公路，而是一条布满微米级沟壑与纳米级起伏的精密赛道。当我们把目光投向4.1.3节——“特色工艺：化学机械抛光（CMP）对波导平整度的影响”，我们面对的已不再是传统逻辑器件中“只要电学参数达标即可”的宽容尺度；而是光子在亚微米截面中以近光速穿行时，对界面粗糙度、侧壁倾角、顶层氧化层厚度均匀性近乎苛刻的物理诘问。光不讲道理，它只服从麦克斯韦方程组；而CMP，恰恰是那个必须在原子尺度上“讲道理”的沉默工匠。你或许见过这样一组数据：某130 nm节点硅光平台中，未经优化的CMP后SiO₂上包层厚度标准差（σₜ）达±8.