4.2.2 电学封装：高速信号引线键合（Wire Bonding）与倒装焊

文档摘要

4.2.2 电学封装：高速信号引线键合（Wire Bonding）与倒装焊在高速数字系统与射频前端的物理实现边界上，有一道看不见却至关重要的“门槛”——它不位于硅片内部的晶体管沟道里，也不在PCB走线的微带结构中，而恰恰横亘于芯片焊盘（Bond Pad）与封装基板焊球（Solder Ball）之间那不足百微米的垂直空间里。这里没有光刻掩模的精密对准，没有蚀刻液的化学反应，只有一束直径18–50 μm的金线，在毫秒级时间尺度内完成热-力-电耦合的瞬态塑性变形；或是一颗倒扣的裸芯，以数万微米级间距、数百个铜柱凸点（Copper Pillar Bump），在260 °C峰值温度下同步回流，实现纳米级共面度控制下的电气与机械双重互连。