文档摘要

7.3.1 薄膜铌酸锂（TFLN）在硅基上的异质集成 在光子集成电路（PIC）的演进长河中，硅基平台早已成为“数字世界的脊梁”——它承载着全球99%以上的CMOS逻辑芯片，拥有无与伦比的制造成熟度、纳米级工艺控制力与超大规模集成能力。然而，硅本身却是个“沉默的光子演员”：它缺乏线性电光效应（$r{41} \approx 0$）、双折射调控能力弱、载流子吸收强，难以胜任高速调制、低损耗波导、可重构相位阵列等核心光功能。 会员。《7.3.1 薄膜铌酸锂（TFLN）在硅基上的异质集成》收录于灏天文库文集《硅光子技术》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号64430。

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