7.3.1 薄膜铌酸锂（TFLN）在硅基上的异质集成

文档摘要

7.3.1 薄膜铌酸锂（TFLN）在硅基上的异质集成在光子集成电路（PIC）的演进长河中，硅基平台早已成为“数字世界的脊梁”——它承载着全球99%以上的CMOS逻辑芯片，拥有无与伦比的制造成熟度、纳米级工艺控制力与超大规模集成能力。然而，硅本身却是个“沉默的光子演员”：它缺乏线性电光效应（$r{41} \approx 0$）、双折射调控能力弱、载流子吸收强，难以胜任高速调制、低损耗波导、可重构相位阵列等核心光功能。于是，一场持续二十年的“光子嫁接术”悄然展开：如何把真正擅长光操控的材料——尤其是铌酸锂（LiNbO₃, LN）——精准地“种”在硅晶圆上，既不破坏硅的CMOS生态，又能释放LN的电光潜能？