3.2.3 非易失性存储器：Flash、RRAM 与 MRAM 概览

文档摘要

3.2.3 非易失性存储器：Flash、RRAM 与 MRAM 概览在嵌入式系统、边缘AI加速器、汽车电子控制器乃至数据中心的存储级内存（Storage-Class Memory, SCM）架构中，非易失性存储器早已不是“断电后不丢数据”这一朴素定义所能概括的技术模块。它是一组物理机制迥异、电学行为复杂、编程范式分裂、可靠性边界模糊的器件集合；它既是硅基电路设计的终点——承载着电荷、电阻态或磁矩的终极稳定表达，又是系统软件栈的起点——驱动着页映射、磨损均衡、错误恢复等一整套底层算法引擎。当我们站在3.2.