5.1.2 纳米片（Nanosheet）与全包围栅极（GAA）物理

文档摘要

5.1.2 纳米片（Nanosheet）与全包围栅极（GAA）物理在半导体工艺演进的宏大叙事里，FinFET曾是一道耀眼的分水岭——它用垂直鳍片将沟道“立起来”，第一次让栅极从单侧控制跃迁为三面围控。但当逻辑单元微缩至5纳米节点以下，鳍片高度受限、短沟道效应卷土重来、阈值电压波动加剧，FinFET的物理天花板便清晰可见。此时，不是渐进式改良，而是范式级重构：栅极必须真正“拥抱”沟道——从三面包裹，到四面合围；从离散鳍片，到连续可调的纳米片堆叠；从几何受限的体硅鳍，到原子层级可控的Si/SiGe异质叠层。这便是GAA（Gate-All-Around）结构的底层物理动机，而纳米片（Nanosheet），正是这一动机在制造端最精妙、最富张力的实现载体。